Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | Upperbond |
Certification: | CE, ISO |
Numéro de modèle: | Fabricant |
Quantité de commande min: | 2 PCS |
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Prix: | Negotiable |
Détails d'emballage: | carton |
Délai de livraison: | 5-8 jours |
Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacité d'approvisionnement: | 10000 PCs/mois |
D'autres modèles: | Skoda, CME, Sasib | Position: | Garniture |
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Quantité. sur chaque machine: | 143 | Échantillon: | Seulement une fois chargé |
Bord aiguisé: | Aucun | Transport de mer: | Avec des commandes plus importantes uniquement |
Surligner: | Transistor de silicium de l'emballeur GDX2,Transistor de silicium de pièces de l'emballeur GDX2,Transistor de silicium de machine de l'emballeur GDX2 |
Transistor D2 PAK Electric de silicium de pièces de rechange de machine de l'emballeur GDX2
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
Caractéristiques
• température de fonctionnement 175°C
• Commutation rapide
• Entièrement avalanche évaluée
• Sans plomb
• Technologie transformatrice avancée
• Bâti extérieur (IRFZ44NS)
• à travers-trou de Bas-profil (IRFZ44NL)
De tube électronique
Beaucoup de types de transistors sont faits selon des caractéristiques normalisées par les fabricants multiples.
Comparé au de tube électronique, les transistors sont généralement plus petits et exigent moins de puissance de fonctionner. Certains tubes à vide ont des avantages par rapport aux transistors aux fréquences très hautes de fonctionnement ou aux tensions élevées de fonctionnement.
Transistor à haute fréquence
Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur. Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz.
Personne à contacter: Henry
Téléphone: +8615217690467
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