Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | Upperbond |
Certification: | CE, ISO |
Numéro de modèle: | Fabricant |
Quantité de commande min: | 2 PCs |
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Prix: | Negotiable |
Détails d'emballage: | Carton |
Délai de livraison: | 5-8 jours |
Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacité d'approvisionnement: | 10000 PCs/mois |
Couleur: | Gris / Argent | Port d'embarquement: | Guangzhou, Changhaï |
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Applicable aux machines: | Fabricant de cigarettes | Modèles de machines: | Protos, Passim, MK8, MK9, |
Diamètre des cigarettes: | 5,4 mm - 8,0 mm | Condition: | Tout neuf |
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Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
Transistor à haute fréquence
Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.
Transistor MOSFET
Le transistor d'effet de champ de métal-oxyde-semi-conducteur (transistor MOSFET), également connu sous le nom de transistor de MOS, a été inventé par Mohamed Atalla et Dawon Kahng en 1959. Le transistor MOSFET était le premier transistor véritablement compact qui pourrait être miniaturisé et fabriqué en série pour un large éventail d'usages. Avec son évolutivité élevée, et consommation de puissance faible beaucoup et plus à haute densité transistors à jonction que bipolaires, le transistor MOSFET a permis pour construire les circuits intégrés à haute densité, permettant l'intégration de plus de 10 000 transistors dans IC simple.
Chute de tension
L'image représente un transistor bipolaire typique dans un circuit. Une charge entrera entre l'émetteur et les terminaux de collecteur selon le courant dans la base. Puisqu'intérieurement les connexions de base et d'émetteur se comportent comme une diode de semi-conducteur, une chute de tension se développe entre la base et l'émetteur tandis que le courant bas existe. La quantité de cette tension dépend du matériel que le transistor est fait à partir et désigné sous le nom de VBE.
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Téléphone: +8613824425740
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