Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | Upperbond |
Certification: | CE, ISO |
Numéro de modèle: | Fabricant |
Quantité de commande min: | 2 PCs |
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Prix: | Negotiable |
Détails d'emballage: | Carton |
Délai de livraison: | 5-8 jours |
Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacité d'approvisionnement: | 10000 PCs/mois |
Port d'embarquement: | Guangzhou, Changhaï | Dureté: | Considérablement augmenté |
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D'autres modèles: | Skoda, CME, Sasib | Diamètre de cigarette: | 5.4mm - 8.0mm |
Modèles de machine: | Protos, passim, MK8, MK9, | Matériel: | Acier inoxydable traité |
Surligner: | Composants de machine à emballer de cigarette,Transistor de silicium de machine à emballer de cigarette,Pièces Irfz44ns de machine de cigarette |
Pièces de machine à emballer de cigarette de transistor de silicium du Bas-profil Irfz44ns
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
Matériel
La plupart des transistors sont faits à partir du silicium très pur, et de certains du germanium, mais certains autres matériaux de semi-conducteur sont parfois employés. Un transistor peut avoir seulement un genre de porteur de charge, dans un transistor d'effet de champ, ou peut avoir deux genres de porteurs de charge dans des dispositifs bipolaires de transistor à jonction.
Transistors à jonction bipolaires
Les premiers transistors à jonction bipolaires ont été inventés par William Shockley des laboratoires de Bell, qui a sollicité le brevet (2 569 347) le 26 juin 1948. Le 12 avril 1950, les chimistes Gordon Teal de Bell Labs et le Morgan Sparks avaient avec succès produit un transistor de amplification fonctionnant de germanium de jonction bipolaire de NPN.
Production en série
Pendant les années 1950, l'ingénieur égyptien Mohamed Atalla a étudié les propriétés extérieures des semi-conducteurs de silicium chez Bell Labs, où il a proposé une nouvelle méthode de fabrication de dispositif de semi-conducteur, enduisant une gaufrette de silicium d'une couche d'isolation d'oxyde de silicium de sorte que l'électricité ait pu sûrement pénétrer au silicium de conduite ci-dessous, surmontant les déclarer extérieurs qui ont empêché l'électricité d'atteindre le semi-conducteur. Ceci est connu comme passivation de surface, une méthode qui est devenue critique à l'industrie de semi-conducteur en tant qu'elle plus tard a rendu la production en série possible des circuits intégrés de silicium.
Personne à contacter: Kiana
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