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Pièces de machine de cigarette de HLP
Created with Pixso. Par des pièces de machine de cigarette du transistor MOSFET Irfz44ns HLP de version de trou

Par des pièces de machine de cigarette du transistor MOSFET Irfz44ns HLP de version de trou

Nom De Marque: Upperbond
Numéro De Modèle: Fabricant
Nombre De Pièces: 2 PCs
Prix: Négociable
Délai De Livraison: 5-8 jours
Conditions De Paiement: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informations détaillées
Lieu d'origine:
La Chine
Certification:
CE, ISO
Fret:
Aramex, DHL, Fedex, TNT, etc.
Couleur:
Gris/argent
D'autres modèles:
Skoda, CME, Sasib
Transport de mer:
Avec des ordres plus importants seulement
Marque:
Upperbond
Personnalisable:
Positif
Détails d'emballage:
Carton
Capacité d'approvisionnement:
10000 PCs/mois
Mettre en évidence:

Transistor de pièces de machine de Cigarettery

,

Transistor de pièces de machine de cigarette de HLP

,

Composants Irfz44ns de machine de cigarette

Description du produit

Par des pièces de machine de cigarette du transistor MOSFET Irfz44ns HLP de version de trou

Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.

Transistor à haute fréquence

Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.

Nomination

Le transistor de terme a été inventé par John R. Pierce comme contraction du transresistance de terme. Selon Lillian Hoddeson et Vicki Daitch, les auteurs d'une biographie de John Bardeen, Shockley avaient proposé que brevet des laboratoires de Bell le premier pour un transistor devrait être basé sur l'effet de champ et qu'il soit appelé en tant qu'inventeur.

IRFZ44NS/LPbF

Paramètre Mn.
V (BR) SAD Tension claque de Drain-à-source 55
△仏 Tj de V (BR) SAD Temp de tension claque. Coefficient
Le RDS (dessus) Sur-résistance statique de Drain-à-source
VGS (Th) Tension de seuil de porte 2,0
gts Transconductance en avant 19
bss Courant de fuite de Drain-à-source
perte Fuite en avant de Porte-à-source
Fuite inverse de Porte-à-source
Qg Charge totale de porte
Qgs Charge de Porte-à-source
Qgd Charge de Porte-à-drain (« Miller »)
le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture
TR Temps de montée
le TD () Temps de retard d'arrêt
tf Temps de chute
LS Inductance interne de source
Cjss Capacité d'entrée
Coss Capacité de sortie
Crss Capacité inverse de transfert
Eas Avalanche simple Energy® d'impulsion

Par des pièces de machine de cigarette du transistor MOSFET Irfz44ns HLP de version de trou 0

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Pièces de machine de cigarette de HLP
Created with Pixso. Par des pièces de machine de cigarette du transistor MOSFET Irfz44ns HLP de version de trou

Par des pièces de machine de cigarette du transistor MOSFET Irfz44ns HLP de version de trou

Nom De Marque: Upperbond
Numéro De Modèle: Fabricant
Nombre De Pièces: 2 PCs
Prix: Négociable
Détails De L'emballage: Carton
Conditions De Paiement: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informations détaillées
Lieu d'origine:
La Chine
Nom de marque:
Upperbond
Certification:
CE, ISO
Numéro de modèle:
Fabricant
Fret:
Aramex, DHL, Fedex, TNT, etc.
Couleur:
Gris/argent
D'autres modèles:
Skoda, CME, Sasib
Transport de mer:
Avec des ordres plus importants seulement
Marque:
Upperbond
Personnalisable:
Positif
Quantité de commande min:
2 PCs
Prix:
Négociable
Détails d'emballage:
Carton
Délai de livraison:
5-8 jours
Conditions de paiement:
T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacité d'approvisionnement:
10000 PCs/mois
Mettre en évidence:

Transistor de pièces de machine de Cigarettery

,

Transistor de pièces de machine de cigarette de HLP

,

Composants Irfz44ns de machine de cigarette

Description du produit

Par des pièces de machine de cigarette du transistor MOSFET Irfz44ns HLP de version de trou

Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.

Transistor à haute fréquence

Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.

Nomination

Le transistor de terme a été inventé par John R. Pierce comme contraction du transresistance de terme. Selon Lillian Hoddeson et Vicki Daitch, les auteurs d'une biographie de John Bardeen, Shockley avaient proposé que brevet des laboratoires de Bell le premier pour un transistor devrait être basé sur l'effet de champ et qu'il soit appelé en tant qu'inventeur.

IRFZ44NS/LPbF

Paramètre Mn.
V (BR) SAD Tension claque de Drain-à-source 55
△仏 Tj de V (BR) SAD Temp de tension claque. Coefficient
Le RDS (dessus) Sur-résistance statique de Drain-à-source
VGS (Th) Tension de seuil de porte 2,0
gts Transconductance en avant 19
bss Courant de fuite de Drain-à-source
perte Fuite en avant de Porte-à-source
Fuite inverse de Porte-à-source
Qg Charge totale de porte
Qgs Charge de Porte-à-source
Qgd Charge de Porte-à-drain (« Miller »)
le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture
TR Temps de montée
le TD () Temps de retard d'arrêt
tf Temps de chute
LS Inductance interne de source
Cjss Capacité d'entrée
Coss Capacité de sortie
Crss Capacité inverse de transfert
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