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| Nom De Marque: | Upperbond |
| Numéro De Modèle: | Fabricant |
| Nombre De Pièces: | 2 PCs |
| Prix: | Négociable |
| Délai De Livraison: | 5-8 jours |
| Conditions De Paiement: | T/T, Western Union, , Paypal |
Max Super Slim Silicon Transistor D2 PAK Cigarette Packing Machine Parts
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
IRFZ44NS/LPbF
| Paramètre | Mn. | |
| V (BR) SAD | Tension claque de Drain-à-source | 55 |
| △仏 Tj de V (BR) SAD | Temp de tension claque. Coefficient | — |
| Le RDS (dessus) | Sur-résistance statique de Drain-à-source | — |
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | 2,0 |
| gts | Transconductance en avant | 19 |
| bss | Courant de fuite de Drain-à-source | — |
| — | ||
| perte | Fuite en avant de Porte-à-source | — |
| Fuite inverse de Porte-à-source | — | |
| Qg | Charge totale de porte | — |
| Qgs | Charge de Porte-à-source | — |
| Qgd | Charge de Porte-à-drain (« Miller ») | — |
| le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | — |
| TR | Temps de montée | — |
| le TD () | Temps de retard d'arrêt | — |
| tf | Temps de chute | — |
| LS | Inductance interne de source | — |
| Cjss | Capacité d'entrée | — |
| Coss | Capacité de sortie | — |
| Crss | Capacité inverse de transfert | — |
| Eas | Avalanche simple Energy® d'impulsion | — |
Nomination
Le transistor de terme a été inventé par John R. Pierce comme contraction du transresistance de terme. Selon Lillian Hoddeson et Vicki Daitch, les auteurs d'une biographie de John Bardeen, Shockley avaient proposé que brevet des laboratoires de Bell le premier pour un transistor devrait être basé sur l'effet de champ et qu'il soit appelé en tant qu'inventeur.
Transistor à haute fréquence
Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.
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