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Transistor MOSFET Irfz44ns de version d'À travers-trou de nano de Hauni Protos pour des machines de Kretek

Transistor MOSFET Irfz44ns de version d'À travers-trou de nano de Hauni Protos pour des machines de Kretek

Nom De Marque:	Upperbond
Numéro De Modèle:	Fabricant
Nombre De Pièces:	2 PCs
Prix:	Négociable
Délai De Livraison:	5-8 jours
Conditions De Paiement:	T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

Informations détaillées

Description du produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

La Chine

Certification:

CE, ISO

Quantité. sur chaque machine:

Machine applicable:

Cigarettier

Échantillon:

Seulement une fois chargé

Conditions de paiement:

paiement avant de 50%

Position:

Garniture

Bord affilé:

Aucun

Détails d'emballage:

Carton

Capacité d'approvisionnement:

10000 PCs/mois

Mettre en évidence:

Transistor de silicium de machine de Kretek

Transistor à haute fréquence de machine de cigarette

Description du produit

Transistor MOSFET Irfz44ns de version d'À travers-trou de nano de Hauni Protos pour des machines de Kretek

Transistor de silicium

Le premier transistor fonctionnant de silicium a été développé chez Bell Labs le 26 janvier 1954, par Morris Tanenbaum. Le premier transistor commercial de silicium a été produit par Texas Instruments en 1954. C'était le travail de Gordon Teal, un expert en matière de cristaux croissants de grande pureté, qui travail précédent chez Bell Labs.

Transistor à haute fréquence

Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.

Transistor de Point-contact

En 1948, le transistor de point-contact a été indépendamment inventé par les physiciens allemands Herbert Mataré et Heinrich Welker tout en travaillant au DES Freins et Signaux Westinghouse, une filiale de Compagnie de Westinghouse située à Paris. Mataré a eu une expérience précédente dans des redresseurs à cristal se développants de silicium et de germanium dans l'effort allemand de radar pendant la deuxième guerre mondiale. Utilisant cette connaissance, il a commencé à rechercher le phénomène de la « interférence » en 1947.

Transistor MOSFET Irfz44ns de version d'À travers-trou de nano de Hauni Protos pour des machines de Kretek 0

Les étiquettes:

détecteur de machine de cigarette

embrayage électromagnétique de dent

embrayage électromagnétique miniature

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Nombre De Pièces:	2 PCs
Prix:	Négociable
Détails De L'emballage:	Carton
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Lieu d'origine:

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Upperbond

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CE, ISO

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Cigarettier

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Seulement une fois chargé

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Bord affilé:

Aucun

Quantité de commande min:

2 PCs

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Négociable

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Carton

Délai de livraison:

5-8 jours

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Capacité d'approvisionnement:

10000 PCs/mois

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Transistor de silicium

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Transistor de Point-contact

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