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Détails des produits

Created with Pixso. À la maison Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
Pièces de machine à emballer de cigarette
Created with Pixso. Chaîne d'emballage toute neuve de cigarette de MK8D commutation rapide Irfz44ns

Chaîne d'emballage toute neuve de cigarette de MK8D commutation rapide Irfz44ns

Nom De Marque: Upperbond
Numéro De Modèle: Fabricant
Nombre De Pièces: 2 PCs
Prix: Négociable
Délai De Livraison: 5-8 jours
Conditions De Paiement: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informations détaillées
Lieu d'origine:
La Chine
Certification:
CE, ISO
Personnalisable:
Positif
Quantité. sur chaque machine:
1
Service:
ODM/OEM
Position:
Garniture
Échantillon:
Seulement une fois chargé
Bord affilé:
Aucun
Détails d'emballage:
Carton
Capacité d'approvisionnement:
10000 PCs/mois
Mettre en évidence:

Pièces de machine à emballer de cigarette de MK8D

,

Chaîne d'emballage de cigarette Irfz44ns

,

Chaîne d'emballage de cigarette pièces Irfz44ns

Description du produit

Chaîne d'emballage toute neuve de cigarette de MK8D commutation rapide Irfz44ns

Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.

Capacités absolues

Paramètre Maximum. Unités
Identification @ Tq = 25°C Courant continu de drain, Vgs @ 10V 49
LD @ comité technique = 100°C Courant continu de drain, Vgs @ 10V 35
Idm Courant pulsé de drain① 160
@Ta de PALLADIUM = 25°C Dissipation de puissance 3,8 W
Palladium @TC = 25°C Dissipation de puissance 94 W
Facteur de sous-sollicitation linéaire 0,63 W/°C
Vgs Tension de Porte-à-source ±20 V
Iar Courant d'avalanche① 25
Oreille Avalanche répétitive Energy® 9,4 MJ
dv/dt Récupération maximale dv/dt de diode③ 5,0 V/ns
Tj Jonction fonctionnante et -55 + à 175 °C

Matériel

La plupart des transistors sont faits à partir du silicium très pur, et de certains du germanium, mais certains autres matériaux de semi-conducteur sont parfois employés. Un transistor peut avoir seulement un genre de porteur de charge, dans un transistor d'effet de champ, ou peut avoir deux genres de porteurs de charge dans des dispositifs bipolaires de transistor à jonction.

Transistor de Point-contact

En 1948, le transistor de point-contact a été indépendamment inventé par les physiciens allemands Herbert Mataré et Heinrich Welker tout en travaillant au DES Freins et Signaux Westinghouse, une filiale de Compagnie de Westinghouse située à Paris. Mataré a eu une expérience précédente dans des redresseurs à cristal se développants de silicium et de germanium dans l'effort allemand de radar pendant la deuxième guerre mondiale. Utilisant cette connaissance, il a commencé à rechercher le phénomène de la « interférence » en 1947.

Chaîne d'emballage toute neuve de cigarette de MK8D commutation rapide Irfz44ns 0

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Nom De Marque: Upperbond
Numéro De Modèle: Fabricant
Nombre De Pièces: 2 PCs
Prix: Négociable
Détails De L'emballage: Carton
Conditions De Paiement: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informations détaillées
Lieu d'origine:
La Chine
Nom de marque:
Upperbond
Certification:
CE, ISO
Numéro de modèle:
Fabricant
Personnalisable:
Positif
Quantité. sur chaque machine:
1
Service:
ODM/OEM
Position:
Garniture
Échantillon:
Seulement une fois chargé
Bord affilé:
Aucun
Quantité de commande min:
2 PCs
Prix:
Négociable
Détails d'emballage:
Carton
Délai de livraison:
5-8 jours
Conditions de paiement:
T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacité d'approvisionnement:
10000 PCs/mois
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Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.

Capacités absolues

Paramètre Maximum. Unités
Identification @ Tq = 25°C Courant continu de drain, Vgs @ 10V 49
LD @ comité technique = 100°C Courant continu de drain, Vgs @ 10V 35
Idm Courant pulsé de drain① 160
@Ta de PALLADIUM = 25°C Dissipation de puissance 3,8 W
Palladium @TC = 25°C Dissipation de puissance 94 W
Facteur de sous-sollicitation linéaire 0,63 W/°C
Vgs Tension de Porte-à-source ±20 V
Iar Courant d'avalanche① 25
Oreille Avalanche répétitive Energy® 9,4 MJ
dv/dt Récupération maximale dv/dt de diode③ 5,0 V/ns
Tj Jonction fonctionnante et -55 + à 175 °C

Matériel

La plupart des transistors sont faits à partir du silicium très pur, et de certains du germanium, mais certains autres matériaux de semi-conducteur sont parfois employés. Un transistor peut avoir seulement un genre de porteur de charge, dans un transistor d'effet de champ, ou peut avoir deux genres de porteurs de charge dans des dispositifs bipolaires de transistor à jonction.

Transistor de Point-contact

En 1948, le transistor de point-contact a été indépendamment inventé par les physiciens allemands Herbert Mataré et Heinrich Welker tout en travaillant au DES Freins et Signaux Westinghouse, une filiale de Compagnie de Westinghouse située à Paris. Mataré a eu une expérience précédente dans des redresseurs à cristal se développants de silicium et de germanium dans l'effort allemand de radar pendant la deuxième guerre mondiale. Utilisant cette connaissance, il a commencé à rechercher le phénomène de la « interférence » en 1947.

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