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| Nom De Marque: | Upperbond |
| Numéro De Modèle: | Fabricant |
| Nombre De Pièces: | 2 PCs |
| Prix: | Négociable |
| Délai De Livraison: | 5-8 jours |
| Conditions De Paiement: | T/T, Western Union, , Paypal |
Transistor
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
Caractéristiques
• Technologie transformatrice avancée
• Bâti extérieur (IRFZ44NS)
• à travers-trou de Bas-profil (IRFZ44NL)
• température de fonctionnement 175°C
• Commutation rapide
• Entièrement avalanche évaluée
• Sans plomb
IRFZ44NS/LPbF
| Paramètre | Mn. | |
| V (BR) SAD | Tension claque de Drain-à-source | 55 |
| △仏 Tj de V (BR) SAD | Temp de tension claque. Coefficient | — |
| Le RDS (dessus) | Sur-résistance statique de Drain-à-source | — |
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | 2,0 |
| gts | Transconductance en avant | 19 |
| bss | Courant de fuite de Drain-à-source | — |
| — | ||
| perte | Fuite en avant de Porte-à-source | — |
| Fuite inverse de Porte-à-source | — | |
| Qg | Charge totale de porte | — |
| Qgs | Charge de Porte-à-source | — |
| Qgd | Charge de Porte-à-drain (« Miller ») | — |
| le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | — |
| TR | Temps de montée | — |
| le TD () | Temps de retard d'arrêt | — |
| tf | Temps de chute | — |
| LS | Inductance interne de source | — |
| Cjss | Capacité d'entrée | — |
| Coss | Capacité de sortie | — |
| Crss | Capacité inverse de transfert | — |
| Eas | Avalanche simple Energy® d'impulsion | — |
Matériel
La plupart des transistors sont faits à partir du silicium très pur, et de certains du germanium, mais certains autres matériaux de semi-conducteur sont parfois employés. Un transistor peut avoir seulement un genre de porteur de charge, dans un transistor d'effet de champ, ou peut avoir deux genres de porteurs de charge dans des dispositifs bipolaires de transistor à jonction.
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