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Nom De Marque: | Upperbond |
Numéro De Modèle: | Fabricant |
Nombre De Pièces: | 2 PCs |
Prix: | Négociable |
Délai De Livraison: | 5-8 jours |
Conditions De Paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Transistor avancé de cigarettier de technologie transformatrice de section de l'Assemblée MK8
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
1. Mécanisme
Une tension ou un courant s'est appliquée à une paire des terminaux du transistor commande le courant par des autres paires de terminaux. Puisque la puissance commandée (de sortie) peut être plus haute que la puissance de contrôle (d'entrée), un transistor peut amplifier un signal. Aujourd'hui, quelques transistors sont empaquetés individuellement, mais beaucoup plus sont trouvés incorporés dans des circuits intégrés.
1. IRFZ44NS/LPbF
Paramètre | Mn. | |
V (BR) SAD | Tension claque de Drain-à-source | 55 |
△仏 Tj de V (BR) SAD | Temp de tension claque. Coefficient | — |
Le RDS (dessus) | Sur-résistance statique de Drain-à-source | — |
VGS (Th) | Tension de seuil de porte | 2,0 |
gts | Transconductance en avant | 19 |
bss | Courant de fuite de Drain-à-source | — |
— | ||
perte | Fuite en avant de Porte-à-source | — |
Fuite inverse de Porte-à-source | — | |
Qg | Charge totale de porte | — |
Qgs | Charge de Porte-à-source | — |
Qgd | Charge de Porte-à-drain (« Miller ») | — |
1. Capacités absolues
Paramètre | Maximum. | Unités | |
Identification @ Tq = 25°C | Courant continu de drain, Vgs @ 10V | 49 | |
LD @ comité technique = 100°C | Courant continu de drain, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Courant pulsé de drain① | 160 | |
@Ta de PALLADIUM = 25°C | Dissipation de puissance | 3,8 | W |
Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance | 94 | W |
Facteur de sous-sollicitation linéaire | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Tension de Porte-à-source | ±20 | V |
Iar | Courant d'avalanche① | 25 | |
Oreille | Avalanche répétitive Energy® | 9,4 | MJ |
dv/dt | Récupération maximale dv/dt de diode③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Jonction fonctionnante et | -55 + à 175 | °C |
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Nom De Marque: | Upperbond |
Numéro De Modèle: | Fabricant |
Nombre De Pièces: | 2 PCs |
Prix: | Négociable |
Détails De L'emballage: | carton |
Conditions De Paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Transistor avancé de cigarettier de technologie transformatrice de section de l'Assemblée MK8
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
1. Mécanisme
Une tension ou un courant s'est appliquée à une paire des terminaux du transistor commande le courant par des autres paires de terminaux. Puisque la puissance commandée (de sortie) peut être plus haute que la puissance de contrôle (d'entrée), un transistor peut amplifier un signal. Aujourd'hui, quelques transistors sont empaquetés individuellement, mais beaucoup plus sont trouvés incorporés dans des circuits intégrés.
1. IRFZ44NS/LPbF
Paramètre | Mn. | |
V (BR) SAD | Tension claque de Drain-à-source | 55 |
△仏 Tj de V (BR) SAD | Temp de tension claque. Coefficient | — |
Le RDS (dessus) | Sur-résistance statique de Drain-à-source | — |
VGS (Th) | Tension de seuil de porte | 2,0 |
gts | Transconductance en avant | 19 |
bss | Courant de fuite de Drain-à-source | — |
— | ||
perte | Fuite en avant de Porte-à-source | — |
Fuite inverse de Porte-à-source | — | |
Qg | Charge totale de porte | — |
Qgs | Charge de Porte-à-source | — |
Qgd | Charge de Porte-à-drain (« Miller ») | — |
1. Capacités absolues
Paramètre | Maximum. | Unités | |
Identification @ Tq = 25°C | Courant continu de drain, Vgs @ 10V | 49 | |
LD @ comité technique = 100°C | Courant continu de drain, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Courant pulsé de drain① | 160 | |
@Ta de PALLADIUM = 25°C | Dissipation de puissance | 3,8 | W |
Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance | 94 | W |
Facteur de sous-sollicitation linéaire | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Tension de Porte-à-source | ±20 | V |
Iar | Courant d'avalanche① | 25 | |
Oreille | Avalanche répétitive Energy® | 9,4 | MJ |
dv/dt | Récupération maximale dv/dt de diode③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Jonction fonctionnante et | -55 + à 175 | °C |