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Nom De Marque: | Upperbond |
Numéro De Modèle: | Fabricant |
Nombre De Pièces: | 2 PCs |
Prix: | Négociable |
Délai De Livraison: | 5-8 jours |
Conditions De Paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Les unités de emballage superbes du Roi Size 7.8*100mm Kretek commutent le transistor d'Irfz44nl
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
1. Autoradio de Tout-transistor
Le premier autoradio de tout-transistor de « production » a été développé par Chrysler et on a annoncé des sociétés et de Philco dans l'édition du 28 avril 1955 du Wall Street Journal. Chrysler avait fait l'autoradio de tout-transistor, Mopar 914HR, disponible modèles comme option commençant dans la chute 1955 pour sa nouvelle ligne de Chrysler 1956 et de voitures impériales qui a frappé la première fois les planchers de salle d'exposition de concessionnaire le 21 octobre 1955.
2. Transistor de silicium
Le premier transistor fonctionnant de silicium a été développé chez Bell Labs le 26 janvier 1954, par Morris Tanenbaum. Le premier transistor commercial de silicium a été produit par Texas Instruments en 1954. C'était le travail de Gordon Teal, un expert en matière de cristaux croissants de grande pureté, qui travail précédent chez Bell Labs.
3. Production en série
Pendant les années 1950, l'ingénieur égyptien Mohamed Atalla a étudié les propriétés extérieures des semi-conducteurs de silicium chez Bell Labs, où il a proposé une nouvelle méthode de fabrication de dispositif de semi-conducteur, enduisant une gaufrette de silicium d'une couche d'isolation d'oxyde de silicium de sorte que l'électricité ait pu sûrement pénétrer au silicium de conduite ci-dessous, surmontant les déclarer extérieurs qui ont empêché l'électricité d'atteindre le semi-conducteur. Ceci est connu comme passivation de surface, une méthode qui est devenue critique à l'industrie de semi-conducteur en tant qu'elle plus tard a rendu la production en série possible des circuits intégrés de silicium.
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Nom De Marque: | Upperbond |
Numéro De Modèle: | Fabricant |
Nombre De Pièces: | 2 PCs |
Prix: | Négociable |
Détails De L'emballage: | carton |
Conditions De Paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Les unités de emballage superbes du Roi Size 7.8*100mm Kretek commutent le transistor d'Irfz44nl
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
1. Autoradio de Tout-transistor
Le premier autoradio de tout-transistor de « production » a été développé par Chrysler et on a annoncé des sociétés et de Philco dans l'édition du 28 avril 1955 du Wall Street Journal. Chrysler avait fait l'autoradio de tout-transistor, Mopar 914HR, disponible modèles comme option commençant dans la chute 1955 pour sa nouvelle ligne de Chrysler 1956 et de voitures impériales qui a frappé la première fois les planchers de salle d'exposition de concessionnaire le 21 octobre 1955.
2. Transistor de silicium
Le premier transistor fonctionnant de silicium a été développé chez Bell Labs le 26 janvier 1954, par Morris Tanenbaum. Le premier transistor commercial de silicium a été produit par Texas Instruments en 1954. C'était le travail de Gordon Teal, un expert en matière de cristaux croissants de grande pureté, qui travail précédent chez Bell Labs.
3. Production en série
Pendant les années 1950, l'ingénieur égyptien Mohamed Atalla a étudié les propriétés extérieures des semi-conducteurs de silicium chez Bell Labs, où il a proposé une nouvelle méthode de fabrication de dispositif de semi-conducteur, enduisant une gaufrette de silicium d'une couche d'isolation d'oxyde de silicium de sorte que l'électricité ait pu sûrement pénétrer au silicium de conduite ci-dessous, surmontant les déclarer extérieurs qui ont empêché l'électricité d'atteindre le semi-conducteur. Ceci est connu comme passivation de surface, une méthode qui est devenue critique à l'industrie de semi-conducteur en tant qu'elle plus tard a rendu la production en série possible des circuits intégrés de silicium.