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Détails des produits

Created with Pixso. À la maison Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
Passim pièces de rechange de machine de cigarette
Created with Pixso. Hauni Protos Kretek nano faisant à machine la composante électronique Irfz44nl

Hauni Protos Kretek nano faisant à machine la composante électronique Irfz44nl

Nom De Marque: Upperbond
Numéro De Modèle: Fabricant
Nombre De Pièces: 2 PCs
Prix: Négociable
Délai De Livraison: 5-8 jours
Conditions De Paiement: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informations détaillées
Lieu d'origine:
La Chine
Certification:
CE, ISO
Personnalisable:
Positif
Modèles de machine:
Protos, passim, MK8, MK9,
Transport de mer:
Avec des commandes plus importantes uniquement
D'autres modèles:
Skoda, CME, Sasib
Port d'embarquement:
Guangzhou, Changhaï
Diamètre de cigarette:
5.4mm - 8.0mm
Détails d'emballage:
carton
Capacité d'approvisionnement:
10000 PCs/mois
Mettre en évidence:

Kretek faisant la machine Irfz44nl

,

Kretek faisant à machine les composantes électroniques

,

Composantes électroniques de machine de cigarette

Description du produit

Hauni Protos Kretek nano faisant à machine la composante électronique Irfz44nl

Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.

1. Estimations et caractéristiques de Source-drain

Paramètre Type Maximum.
Est Courant de source continu (diode de corps) 49
Doctrine Courant de source pulsé (diode de corps)① 160
VsD Tension en avant de diode 1,3
trr Temps de rétablissement inverse 63 95
Qrr Charge inverse de récupération 170 260

2. Transistors à jonction bipolaires

Les premiers transistors à jonction bipolaires ont été inventés par William Shockley des laboratoires de Bell, qui a sollicité le brevet (2 569 347) le 26 juin 1948. Le 12 avril 1950, les chimistes Gordon Teal de Bell Labs et le Morgan Sparks avaient avec succès produit un transistor de amplification fonctionnant de germanium de jonction bipolaire de NPN.

3. Transistor à haute fréquence

Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.

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Hauni Protos Kretek nano faisant à machine la composante électronique Irfz44nl

Nom De Marque: Upperbond
Numéro De Modèle: Fabricant
Nombre De Pièces: 2 PCs
Prix: Négociable
Détails De L'emballage: carton
Conditions De Paiement: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informations détaillées
Lieu d'origine:
La Chine
Nom de marque:
Upperbond
Certification:
CE, ISO
Numéro de modèle:
Fabricant
Personnalisable:
Positif
Modèles de machine:
Protos, passim, MK8, MK9,
Transport de mer:
Avec des commandes plus importantes uniquement
D'autres modèles:
Skoda, CME, Sasib
Port d'embarquement:
Guangzhou, Changhaï
Diamètre de cigarette:
5.4mm - 8.0mm
Quantité de commande min:
2 PCs
Prix:
Négociable
Détails d'emballage:
carton
Délai de livraison:
5-8 jours
Conditions de paiement:
T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacité d'approvisionnement:
10000 PCs/mois
Mettre en évidence:

Kretek faisant la machine Irfz44nl

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Kretek faisant à machine les composantes électroniques

,

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Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.

1. Estimations et caractéristiques de Source-drain

Paramètre Type Maximum.
Est Courant de source continu (diode de corps) 49
Doctrine Courant de source pulsé (diode de corps)① 160
VsD Tension en avant de diode 1,3
trr Temps de rétablissement inverse 63 95
Qrr Charge inverse de récupération 170 260

2. Transistors à jonction bipolaires

Les premiers transistors à jonction bipolaires ont été inventés par William Shockley des laboratoires de Bell, qui a sollicité le brevet (2 569 347) le 26 juin 1948. Le 12 avril 1950, les chimistes Gordon Teal de Bell Labs et le Morgan Sparks avaient avec succès produit un transistor de amplification fonctionnant de germanium de jonction bipolaire de NPN.

3. Transistor à haute fréquence

Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.

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