![]() |
Nom De Marque: | Upperbond |
Numéro De Modèle: | Fabricant |
Nombre De Pièces: | 2 PCs |
Prix: | Négociable |
Délai De Livraison: | 5-8 jours |
Conditions De Paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Transistor d'IRFZ44NSTRLPBF
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
1. Caractéristiques
• Technologie transformatrice avancée
• Bâti extérieur (IRFZ44NS)
• à travers-trou de Bas-profil (IRFZ44NL)
• température de fonctionnement 175°C
• Commutation rapide
• Entièrement avalanche évaluée
• Sans plomb
2. Capacités absolues
Paramètre | Maximum. | Unités | |
Identification @ Tq = 25°C | Courant continu de drain, Vgs @ 10V | 49 | |
LD @ comité technique = 100°C | Courant continu de drain, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Courant pulsé de drain① | 160 | |
@Ta de PALLADIUM = 25°C | Dissipation de puissance | 3,8 | W |
Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance | 94 | W |
Facteur de sous-sollicitation linéaire | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Tension de Porte-à-source | ±20 | V |
Iar | Courant d'avalanche① | 25 | |
Oreille | Avalanche répétitive Energy® | 9,4 | MJ |
dv/dt | Récupération maximale dv/dt de diode③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Jonction fonctionnante et | -55 + à 175 | °C |
3. IRFZ44NS/LPbF
Paramètre | Mn. | |
V (BR) SAD | Tension claque de Drain-à-source | 55 |
△仏 Tj de V (BR) SAD | Temp de tension claque. Coefficient | — |
Le RDS (dessus) | Sur-résistance statique de Drain-à-source | — |
VGS (Th) | Tension de seuil de porte | 2,0 |
gts | Transconductance en avant | 19 |
bss | Courant de fuite de Drain-à-source | — |
— | ||
perte | Fuite en avant de Porte-à-source | — |
Fuite inverse de Porte-à-source | — | |
Qg | Charge totale de porte | — |
Qgs | Charge de Porte-à-source | — |
Qgd | Charge de Porte-à-drain (« Miller ») | — |
le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | — |
TR | Temps de montée | — |
le TD () | Temps de retard d'arrêt | — |
tf | Temps de chute | — |
LS | Inductance interne de source | — |
Cjss | Capacité d'entrée | — |
Coss | Capacité de sortie | — |
Crss | Capacité inverse de transfert | — |
Eas | Avalanche simple Energy® d'impulsion | — |
![]() |
Nom De Marque: | Upperbond |
Numéro De Modèle: | Fabricant |
Nombre De Pièces: | 2 PCs |
Prix: | Négociable |
Détails De L'emballage: | carton |
Conditions De Paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Transistor d'IRFZ44NSTRLPBF
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
1. Caractéristiques
• Technologie transformatrice avancée
• Bâti extérieur (IRFZ44NS)
• à travers-trou de Bas-profil (IRFZ44NL)
• température de fonctionnement 175°C
• Commutation rapide
• Entièrement avalanche évaluée
• Sans plomb
2. Capacités absolues
Paramètre | Maximum. | Unités | |
Identification @ Tq = 25°C | Courant continu de drain, Vgs @ 10V | 49 | |
LD @ comité technique = 100°C | Courant continu de drain, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Courant pulsé de drain① | 160 | |
@Ta de PALLADIUM = 25°C | Dissipation de puissance | 3,8 | W |
Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance | 94 | W |
Facteur de sous-sollicitation linéaire | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Tension de Porte-à-source | ±20 | V |
Iar | Courant d'avalanche① | 25 | |
Oreille | Avalanche répétitive Energy® | 9,4 | MJ |
dv/dt | Récupération maximale dv/dt de diode③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Jonction fonctionnante et | -55 + à 175 | °C |
3. IRFZ44NS/LPbF
Paramètre | Mn. | |
V (BR) SAD | Tension claque de Drain-à-source | 55 |
△仏 Tj de V (BR) SAD | Temp de tension claque. Coefficient | — |
Le RDS (dessus) | Sur-résistance statique de Drain-à-source | — |
VGS (Th) | Tension de seuil de porte | 2,0 |
gts | Transconductance en avant | 19 |
bss | Courant de fuite de Drain-à-source | — |
— | ||
perte | Fuite en avant de Porte-à-source | — |
Fuite inverse de Porte-à-source | — | |
Qg | Charge totale de porte | — |
Qgs | Charge de Porte-à-source | — |
Qgd | Charge de Porte-à-drain (« Miller ») | — |
le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | — |
TR | Temps de montée | — |
le TD () | Temps de retard d'arrêt | — |
tf | Temps de chute | — |
LS | Inductance interne de source | — |
Cjss | Capacité d'entrée | — |
Coss | Capacité de sortie | — |
Crss | Capacité inverse de transfert | — |
Eas | Avalanche simple Energy® d'impulsion | — |