Transistor MOSFET Irfz44ns de version d'À travers-trou de nano de Hauni Protos pour des machines de Kretek

Transistor MOSFET Irfz44ns de version d'À travers-trou de nano de Hauni Protos pour des machines de Kretek

Transistor de silicium

Le premier transistor fonctionnant de silicium a été développé chez Bell Labs le 26 janvier 1954, par Morris Tanenbaum. Le premier transistor commercial de silicium a été produit par Texas Instruments en 1954. C'était le travail de Gordon Teal, un expert en matière de cristaux croissants de grande pureté, qui travail précédent chez Bell Labs.

Transistor à haute fréquence

Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.

Transistor de Point-contact

En 1948, le transistor de point-contact a été indépendamment inventé par les physiciens allemands Herbert Mataré et Heinrich Welker tout en travaillant au DES Freins et Signaux Westinghouse, une filiale de Compagnie de Westinghouse située à Paris. Mataré a eu une expérience précédente dans des redresseurs à cristal se développants de silicium et de germanium dans l'effort allemand de radar pendant la deuxième guerre mondiale. Utilisant cette connaissance, il a commencé à rechercher le phénomène de la « interférence » en 1947.