Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | Upperbond |
Certification: | CE, ISO |
Numéro de modèle: | Fabricant |
Quantité de commande min: | 2 PCs |
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Prix: | Negotiable |
Détails d'emballage: | carton |
Délai de livraison: | 5-8 jours |
Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacité d'approvisionnement: | 10000 PCs/mois |
Personnalisable: | Positif | Modèles de machine: | Protos, passim, MK8, MK9, |
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Transport de mer: | Avec des commandes plus importantes uniquement | D'autres modèles: | Skoda, CME, Sasib |
Port d'embarquement: | Guangzhou, Changhaï | Diamètre de cigarette: | 5.4mm - 8.0mm |
Surligner: | Kretek faisant la machine Irfz44nl,Kretek faisant à machine les composantes électroniques,Composantes électroniques de machine de cigarette |
Hauni Protos Kretek nano faisant à machine la composante électronique Irfz44nl
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
1. Estimations et caractéristiques de Source-drain
Paramètre | Type | Maximum. | |
Est | Courant de source continu (diode de corps) | — | 49 |
Doctrine | Courant de source pulsé (diode de corps)① | — | 160 |
VsD | Tension en avant de diode | — | 1,3 |
trr | Temps de rétablissement inverse | 63 | 95 |
Qrr | Charge inverse de récupération | 170 | 260 |
2. Transistors à jonction bipolaires
Les premiers transistors à jonction bipolaires ont été inventés par William Shockley des laboratoires de Bell, qui a sollicité le brevet (2 569 347) le 26 juin 1948. Le 12 avril 1950, les chimistes Gordon Teal de Bell Labs et le Morgan Sparks avaient avec succès produit un transistor de amplification fonctionnant de germanium de jonction bipolaire de NPN.
3. Transistor à haute fréquence
Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.
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