LIMITÉ INDUSTRIEL DU HK UPPERBOND
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| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | Upperbond |
| Certification: | CE, ISO |
| Numéro de modèle: | Fabricant |
| Quantité de commande min: | 2 PCs |
|---|---|
| Prix: | Negotiable |
| Détails d'emballage: | Carton |
| Délai de livraison: | 5-8 jours |
| Capacité d'approvisionnement: | 10000 PCs/mois |
| Conditions de paiement: | 50 % de paiement à l'avance | COULEUR: | Gris / Argent |
|---|---|---|---|
| Transport de mer: | Avec des commandes plus importantes uniquement | Applicable aux machines: | Fabricant de cigarettes |
| Bord aiguisé: | Aucun | Échantillon: | Seulement une fois chargé |
| Surligner: | Pièces Irfz44ns de machine de cigarette,Transistor à effet de champ de machine de cigarette,Transistor pour la machine de cigarette |
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Pièces toutes neuves de machine de cigarette de transistor de transistor à effet de champ d'Irfz44ns MK8D
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
Radio de transistor de poche
La première radio de transistor de poche de « prototype » a été montrée par INTERMETALL (une société fondée par Herbert Mataré en 1952) chez l'Internationale Funkausstellung Düsseldorf entre le 29 août 1953 et le 6 septembre 1953. La première radio de transistor de poche de « production » était Regency TR-1, libéré en octobre 1954.
Nomination
Le transistor de terme a été inventé par John R. Pierce comme contraction du transresistance de terme. Selon Lillian Hoddeson et Vicki Daitch, les auteurs d'une biographie de John Bardeen, Shockley avaient proposé que brevet des laboratoires de Bell le premier pour un transistor devrait être basé sur l'effet de champ et qu'il soit appelé en tant qu'inventeur.
Capacités absolues
| Paramètre | Maximum. | Unités | |
| Identification @ Tq = 25°C | Courant continu de drain, Vgs @ 10V | 49 | |
| LD @ comité technique = 100°C | Courant continu de drain, Vgs @ 10V | 35 | |
| Idm | Courant pulsé de drain① | 160 | |
| @Ta de PALLADIUM = 25°C | Dissipation de puissance | 3,8 | W |
| Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance | 94 | W |
| Facteur de sous-sollicitation linéaire | 0,63 | W/°C | |
| Vgs | Tension de Porte-à-source | ±20 | V |
| Iar | Courant d'avalanche① | 25 | |
| Oreille | Avalanche répétitive Energy® | 9,4 | MJ |
| dv/dt | Récupération maximale dv/dt de diode③ | 5,0 | V/ns |
| Tj | Jonction fonctionnante et | -55 + à 175 | °C |
Personne à contacter: Kiana
Téléphone: +8613824425740
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