LIMITÉ INDUSTRIEL DU HK UPPERBOND
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| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | Upperbond |
| Certification: | CE, ISO |
| Numéro de modèle: | Fabricant |
| Quantité de commande min: | 2 PCs |
|---|---|
| Prix: | Negotiable |
| Détails d'emballage: | Carton |
| Délai de livraison: | 5-8 jours |
| Capacité d'approvisionnement: | 10000 PCs/mois |
| Conditions de paiement: | 50 % de paiement à l'avance | Capacité: | 800-10000 cigarettes/min |
|---|---|---|---|
| Position: | Garniture | personnalisable: | Positif |
| Matériel: | Inox traité | Service: | ODM/OEM |
| Surligner: | Transistor de la machine Irfz44nl de cigarette,Passim transistor de la machine Irfz44nl de cigarette,Transistor pour passim la machine de cigarette |
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Les unités de emballage de Kretek commutent des pièces de rechange de machine de cigarette de transistor d'Irfz44nl passim
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
Transistor de silicium
Le premier transistor fonctionnant de silicium a été développé chez Bell Labs le 26 janvier 1954, par Morris Tanenbaum. Le premier transistor commercial de silicium a été produit par Texas Instruments en 1954. C'était le travail de Gordon Teal, un expert en matière de cristaux croissants de grande pureté, qui travail précédent chez Bell Labs.
Avantages
Le coût bas, la flexibilité, et la fiabilité du transistor lui ont fait un dispositif omniprésent. Les circuits mechatronic transistorisés ont remplacé les dispositifs électromécaniques dans les appareils et les machines de contrôle. Il est souvent plus facile et meilleur marché d'utiliser un microcontrôleur standard et d'écrire un programme informatique pour effectuer une fonction de commande que pour concevoir un système mécanique équivalent à
IRFZ44NS/LPbF
| Paramètre | Mn. | |
| V (BR) SAD | Tension claque de Drain-à-source | 55 |
| △仏 Tj de V (BR) SAD | Temp de tension claque. Coefficient | — |
| Le RDS (dessus) | Sur-résistance statique de Drain-à-source | — |
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | 2,0 |
| gts | Transconductance en avant | 19 |
| bss | Courant de fuite de Drain-à-source | — |
| — | ||
| perte | Fuite en avant de Porte-à-source | — |
| Fuite inverse de Porte-à-source | — | |
| Qg | Charge totale de porte | — |
| Qgs | Charge de Porte-à-source | — |
| Qgd | Charge de Porte-à-drain (« Miller ») | — |
| le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | — |
| TR | Temps de montée | — |
| le TD () | Temps de retard d'arrêt | — |
| tf | Temps de chute | — |
| LS | Inductance interne de source | — |
| Cjss | Capacité d'entrée | — |
| Coss | Capacité de sortie | — |
| Crss | Capacité inverse de transfert | — |
| Eas | Avalanche simple Energy® d'impulsion | — |
Personne à contacter: Winnie
Téléphone: +8613763302491
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