Lieu d'origine: | China |
Nom de marque: | Upperbond |
Certification: | CE, ISO |
Numéro de modèle: | Maker |
Quantité de commande min: | 2 pcs |
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Prix: | Negotiable |
Détails d'emballage: | Carton |
Délai de livraison: | 5-8 days |
Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacité d'approvisionnement: | 10000 pcs/month |
Transport de mer: | Avec des ordres plus importants seulement | Échantillon: | Seulement une fois chargé |
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Couleur: | Gris/argent | Personnalisable: | Positif |
D'autres modèles: | Skoda, CME, Sasib | Port of Shipment: | Guangzhou, Shanghai |
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Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
Avantages
Le coût bas, la flexibilité, et la fiabilité du transistor lui ont fait un dispositif omniprésent. Les circuits mechatronic transistorisés ont remplacé les dispositifs électromécaniques dans les appareils et les machines de contrôle. Il est souvent plus facile et meilleur marché d'utiliser un microcontrôleur standard et d'écrire un programme informatique pour effectuer une fonction de commande que pour concevoir un système mécanique équivalent pour commander qui la même fonction.
Production en série
Pendant les années 1950, l'ingénieur égyptien Mohamed Atalla a étudié les propriétés extérieures des semi-conducteurs de silicium chez Bell Labs, où il a proposé une nouvelle méthode de fabrication de dispositif de semi-conducteur, enduisant une gaufrette de silicium d'une couche d'isolation d'oxyde de silicium de sorte que l'électricité ait pu sûrement pénétrer au silicium de conduite ci-dessous, surmontant les déclarer extérieurs qui ont empêché l'électricité d'atteindre le semi-conducteur. Ceci est connu comme passivation de surface, une méthode qui est devenue critique à l'industrie de semi-conducteur en tant qu'elle plus tard a rendu la production en série possible des circuits intégrés de silicium.
Transistor à haute fréquence
Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.
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