Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | Upperbond |
Certification: | CE, ISO |
Numéro de modèle: | Fabricant |
Quantité de commande min: | 800 PCs |
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Prix: | Negotiable |
Détails d'emballage: | Carton |
Délai de livraison: | 5-8 jours |
Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacité d'approvisionnement: | 1000000 PCs/mois |
Personnalisable: | Positif | Port d'embarquement: | Guangzhou, Changhaï |
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Couleur: | Gris/argent | Transport de mer: | Avec des ordres plus importants seulement |
D'autres modèles: | Skoda, CME, Sasib | Échantillon: | Seulement une fois chargé |
Surligner: | Composants de machines de tabac,Commutateur de Garant de machines de tabac,Transistor des machines Irfz44nl de tabac |
Pièces de rechange de machines de transistor du commutateur Irfz44nl de Garant de taille de la Reine
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
Importance
Les transistors sont les composants actifs principaux dans pratiquement toute l'électronique moderne. Beaucoup considèrent comme étant ainsi le transistor l'une des plus grandes inventions du 20ème siècle.
L'invention du premier transistor chez Bell Labs a été appelée une étape importante d'IEEE en 2009. La liste d'étapes importantes d'IEEE inclut également les inventions du transistor à jonction en 1948 et du transistor MOSFET en 1959.
Caractéristiques
• Technologie transformatrice avancée
• Bâti extérieur (IRFZ44NS)
• à travers-trou de Bas-profil (IRFZ44NL)
• température de fonctionnement 175°C
• Commutation rapide
• Entièrement avalanche évaluée
• Sans plomb
Transistor à haute fréquence
Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.
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