Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | Upperbond |
Certification: | CE, ISO |
Numéro de modèle: | Fabricant |
Quantité de commande min: | 800 PCs |
---|---|
Prix: | Negotiable |
Détails d'emballage: | Carton |
Délai de livraison: | 5-8 jours |
Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacité d'approvisionnement: | 10000 PCs/mois |
Marque: | Upperbond | Dureté: | Considérablement augmenté |
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Diamètre de cigarette: | 5.4mm - 8.0mm | Fret: | Aramex, DHL, Fedex, TNT, etc. |
Coupure du matériel: | Côté de filtre | Matériel: | Acier inoxydable traité |
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Pièces de rechange évaluées de machine de cigarette du transistor Irfz44nl d'avalanche passim
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
Capacités absolues
Paramètre | Maximum. | Unités | |
Identification @ Tq = 25°C | Courant continu de drain, Vgs @ 10V | 49 | |
LD @ comité technique = 100°C | Courant continu de drain, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Courant pulsé de drain① | 160 | |
@Ta de PALLADIUM = 25°C | Dissipation de puissance | 3,8 | W |
Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance | 94 | W |
Facteur de sous-sollicitation linéaire | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Tension de Porte-à-source | ±20 | V |
Iar | Courant d'avalanche① | 25 | |
Oreille | Avalanche répétitive Energy® | 9,4 | MJ |
dv/dt | Récupération maximale dv/dt de diode③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Jonction fonctionnante et | -55 + à 175 | °C |
De tube électronique
Comparé au de tube électronique, les transistors sont généralement plus petits et exigent moins de puissance de fonctionner. Certains tubes à vide ont des avantages par rapport aux transistors aux fréquences très hautes de fonctionnement ou aux tensions élevées de fonctionnement. Beaucoup de types de transistors sont faits selon des caractéristiques normalisées par les fabricants multiples.
Transistors à jonction bipolaires
Les premiers transistors à jonction bipolaires ont été inventés par William Shockley des laboratoires de Bell, qui a sollicité le brevet (2 569 347) le 26 juin 1948. Le 12 avril 1950, les chimistes Gordon Teal de Bell Labs et le Morgan Sparks avaient avec succès produit un transistor de amplification fonctionnant de germanium de jonction bipolaire de NPN.
Personne à contacter: Kiana
Téléphone: +8613824425740
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