Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | Upperbond |
Certification: | CE, ISO |
Numéro de modèle: | Fabricant |
Quantité de commande min: | 2 PCs |
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Prix: | Negotiable |
Détails d'emballage: | Carton |
Délai de livraison: | 5-8 jours |
Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacité d'approvisionnement: | 10000 PCs/mois |
Diamètre de cigarette: | 5.4mm - 8.0mm | Couleur: | Gris/argent |
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Port d'embarquement: | Guangzhou, Changhaï | Machine applicable: | Cigarettier |
Modèles de machine: | Protos, passim, MK8, MK9, | Condition: | Tout neuf |
Surligner: | Irfz44ns pour des machines de Kretek,Machine Irfz44ns de cigarette,Transistor de machine de la cigarette MK9 |
Modèle de Molins MK9 Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns pour des machines de Kretek
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
Estimations et caractéristiques de Source-drain
Paramètre | Type | Maximum. | |
Est | Courant de source continu (diode de corps) | — | 49 |
Doctrine | Courant de source pulsé (diode de corps)① | — | 160 |
VsD | Tension en avant de diode | — | 1,3 |
trr | Temps de rétablissement inverse | 63 | 95 |
Qrr | Charge inverse de récupération | 170 | 260 |
Radio de transistor de poche
La première radio de transistor de poche de « prototype » a été montrée par INTERMETALL (une société fondée par Herbert Mataré en 1952) chez l'Internationale Funkausstellung Düsseldorf entre le 29 août 1953 et le 6 septembre 1953. La première radio de transistor de poche de « production » était Regency TR-1, libéré en octobre 1954.
Production en série
Pendant les années 1950, l'ingénieur égyptien Mohamed Atalla a étudié les propriétés extérieures des semi-conducteurs de silicium chez Bell Labs, où il a proposé une nouvelle méthode de fabrication de dispositif de semi-conducteur, enduisant une gaufrette de silicium d'une couche d'isolation d'oxyde de silicium de sorte que l'électricité ait pu sûrement pénétrer au silicium de conduite ci-dessous, surmontant les déclarer extérieurs qui ont empêché l'électricité d'atteindre le semi-conducteur. Ceci est connu comme passivation de surface, une méthode qui est devenue critique à l'industrie de semi-conducteur en tant qu'elle plus tard a rendu la production en série possible des circuits intégrés de silicium.
Personne à contacter: Henry
Téléphone: +8615217690467
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