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Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts de silicium de nano de Hauni Protos

Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts de silicium de nano de Hauni Protos

  • Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts de silicium de nano de Hauni Protos
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Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts de silicium de nano de Hauni Protos
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Upperbond
Certification: CE, ISO
Numéro de modèle: Fabricant
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 2 PCs
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: Carton
Délai de livraison: 5-8 jours
Capacité d'approvisionnement: 10000 PCs/mois
Contact
Description de produit détaillée
Conditions de paiement: paiement avant de 50% Matériel: Acier inoxydable traité
Capacité: 800-10000 clopes/minute Port d'embarquement: Guangzhou, Changhaï
Diamètre de cigarette: 5.4mm - 8.0mm Modèles de machine: Protos, passim, MK8, MK9,
Surligner:

Transistor de silicium de machine de tabac

,

Transistor de silicium de pièces de machine de cigarette

Transistor D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts de silicium de nano de Hauni Protos

Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.

Transistor de Point-contact

En 1948, le transistor de point-contact a été indépendamment inventé par les physiciens allemands Herbert Mataré et Heinrich Welker tout en travaillant au DES Freins et Signaux Westinghouse, une filiale de Compagnie de Westinghouse située à Paris. Mataré a eu une expérience précédente dans des redresseurs à cristal se développants de silicium et de germanium dans l'effort allemand de radar pendant la deuxième guerre mondiale. Utilisant cette connaissance, il a commencé à rechercher le phénomène de la « interférence » en 1947.

Transistor à haute fréquence

Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.

Transistor de silicium

Le premier transistor fonctionnant de silicium a été développé chez Bell Labs le 26 janvier 1954, par Morris Tanenbaum. Le premier transistor commercial de silicium a été produit par Texas Instruments en 1954. C'était le travail de Gordon Teal, un expert en matière de cristaux croissants de grande pureté, qui travail précédent chez Bell Labs.


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Coordonnées
HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

Personne à contacter: Winnie

Téléphone: +8613763302491

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