Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | Upperbond |
Certification: | CE, ISO |
Numéro de modèle: | Fabricant |
Quantité de commande min: | 20 PCs |
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Prix: | Negotiable |
Détails d'emballage: | Carton |
Délai de livraison: | 5-8 jours |
Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacité d'approvisionnement: | 10000 PCs/mois |
Preuve de rouille: | Augmenté | Marque: | Upperbond |
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Condition: | Nouveau entier | Couleur: | Métallique/noir |
Personnalisable: | Positif | Diamètre extérieur: | 70mm/80mm |
Surligner: | Transistor de machines de Kretek,Transistor de machines de tabac de Protos |
De Hauni Protos de nano transistor évalué de machines de Kretek d'avalanche entièrement
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
Autoradio de Tout-transistor
Le premier autoradio de tout-transistor de « production » a été développé par Chrysler et on a annoncé des sociétés et de Philco dans l'édition du 28 avril 1955 du Wall Street Journal. Chrysler avait fait l'autoradio de tout-transistor, Mopar 914HR, disponible modèles comme option commençant dans la chute 1955 pour sa nouvelle ligne de Chrysler 1956 et de voitures impériales qui a frappé la première fois les planchers de salle d'exposition de concessionnaire le 21 octobre 1955.
Transistor à haute fréquence
Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.
Estimations et caractéristiques de Source-drain
Paramètre | Type | Maximum. | |
Est | Courant de source continu (diode de corps) | — | 49 |
Doctrine | Courant de source pulsé (diode de corps)① | — | 160 |
VsD | Tension en avant de diode | — | 1,3 |
trr | Temps de rétablissement inverse | 63 | 95 |
Qrr | Charge inverse de récupération | 170 | 260 |
Personne à contacter: Kiana
Téléphone: +8613824425740
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