LIMITÉ INDUSTRIEL DU HK UPPERBOND
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| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | Upperbond |
| Certification: | CE, ISO |
| Numéro de modèle: | Fabricant |
| Quantité de commande min: | 2 PCs |
|---|---|
| Prix: | Negotiable |
| Détails d'emballage: | Carton |
| Délai de livraison: | 5-8 jours |
| Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
| Capacité d'approvisionnement: | 10000 PCs/mois |
| Port d'embarquement: | Guangzhou, Changhaï | Modèles de machine: | Protos, passim, MK8, MK9, |
|---|---|---|---|
| Matériel: | Acier inoxydable traité | Diamètre de cigarette: | 5.4mm - 8.0mm |
| D'autres modèles: | Skoda, CME, Sasib | Dureté: | Considérablement augmenté |
| Surligner: | Pièces électriques de machine d'emballeur de cigarette,Emballeur Irfz44ns de cigarette |
||
MK8 Assembly Section Irfz44ns Model Electric Part Of Cigarette Packer
A transistor is a semiconductor device used to amplify or switch electronic signals and electrical power. Transistors are one of the basic building blocks of modern electronics. It is composed of semiconductor material usually with at least three terminals for connection to an external circuit.
Material
Most transistors are made from very pure silicon, and some from germanium, but certain other semiconductor materials are sometimes used. A transistor may have only one kind of charge carrier, in a field-effect transistor, or may have two kinds of charge carriers in bipolar junction transistor devices.
IRFZ44NS/LPbF
| Parameter | Min. | |
| V(BR)DSS | Drain-to-Source Breakdown Voltage | 55 |
| △V(BR)DSS 仏 Tj | Breakdown Voltage Temp. Coefficient | — |
| RDS(on) | Static Drain-to-Source On-Resistance | — |
| VGS(th) | Gate Threshold Voltage | 2.0 |
| gts | Forward Transconductance | 19 |
| bss | Drain-to-Source Leakage Current | — |
| — | ||
| loss | Gate-to-Source Forward Leakage | — |
| Gate-to-Source Reverse Leakage | — | |
| Qg | Total Gate Charge | — |
| Qgs | Gate-to-Source Charge | — |
| Qgd | Gate-to-Drain ("Miller") Charge | — |
| td(on) | Turn-On Delay Time | — |
| tr | Rise Time | — |
| td(off) | Turn-Off Delay Time | — |
| tf | Fall Time | — |
| Ls | Internal Source Inductance | — |
| Cjss | Input Capacitance | — |
| Coss | Output Capacitance | — |
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | — |
| Eas | Single Pulse Avalanche Energy® | — |
Features
• Advanced Process Technology
• Surface Mount (IRFZ44NS)
• Low-profile through-hole (IRFZ44NL)
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated
• Lead-Free
Personne à contacter: Kiana
Téléphone: +8613824425740
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