Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | Upperbond |
Certification: | CE, ISO |
Numéro de modèle: | Fabricant |
Quantité de commande min: | 2 PCs |
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Prix: | Negotiable |
Détails d'emballage: | Carton |
Délai de livraison: | 5-8 jours |
Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacité d'approvisionnement: | 10000 PCs/mois |
Couleur: | Gris/argent | Condition: | Tout neuf |
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Marque: | Upperbond | Termes de expédition: | EXW, GOUSSET, CFR, CAF |
Coupure du matériel: | Côté de filtre | Fret: | Aramex, DHL, Fedex, TNT, etc. |
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Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
Autoradio de Tout-transistor
Le premier autoradio de tout-transistor de « production » a été développé par Chrysler et on a annoncé des sociétés et de Philco dans l'édition du 28 avril 1955 du Wall Street Journal. Chrysler avait fait l'autoradio de tout-transistor, Mopar 914HR, disponible modèles comme option commençant dans la chute 1955 pour sa nouvelle ligne de Chrysler 1956 et de voitures impériales qui a frappé la première fois les planchers de salle d'exposition de concessionnaire le 21 octobre 1955.
Production en série
Pendant les années 1950, l'ingénieur égyptien Mohamed Atalla a étudié les propriétés extérieures des semi-conducteurs de silicium chez Bell Labs, où il a proposé une nouvelle méthode de fabrication de dispositif de semi-conducteur, enduisant une gaufrette de silicium d'une couche d'isolation d'oxyde de silicium de sorte que l'électricité ait pu sûrement pénétrer au silicium de conduite ci-dessous, surmontant les déclarer extérieurs qui ont empêché l'électricité d'atteindre le semi-conducteur. Ceci est connu comme passivation de surface, une méthode qui est devenue critique à l'industrie de semi-conducteur en tant qu'elle plus tard a rendu la production en série possible des circuits intégrés de silicium.
CMOS
CMOS (MOS complémentaire) a été inventé par Chih-Tang Sah et Frank Wanlass au semi-conducteur de Fairchild en 1963. Le premier rapport d'un transistor MOSFET de flotter-porte a été rédigé par Dawon Kahng et Simon Sze en 1967. Un transistor MOSFET de double-porte a été démontré la première fois en 1984 par les chercheurs électrotechniques Toshihiro Sekigawa et Yutaka Hayashi de laboratoire
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