Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | Upperbond |
Certification: | CE, ISO |
Numéro de modèle: | Fabricant |
Quantité de commande min: | 2 PCs |
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Prix: | Negotiable |
Détails d'emballage: | carton |
Délai de livraison: | 5-8 jours |
Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacité d'approvisionnement: | 10000 PCs/mois |
D'autres modèles: | Skoda, CME, Sasib | Personnalisable: | Positif |
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Transport de mer: | Avec des commandes plus importantes uniquement | Modèles de machine: | Protos, passim, MK8, MK9, |
Port d'embarquement: | Guangzhou, Changhaï | Diamètre de cigarette: | 5.4mm - 8.0mm |
Surligner: | Chaîne d'emballage de cigarette transistor,Transistor de machine de cigarette de Protos,Transistor de machine de cigarette de Hauni |
Chaîne d'emballage de cigarette de nano de Hauni Protos commutation rapide Irfz44ns
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe.
1. Radio de transistor de poche
La première radio de transistor de poche de « prototype » a été montrée par INTERMETALL (une société fondée par Herbert Mataré en 1952) chez l'Internationale Funkausstellung Düsseldorf entre le 29 août 1953 et le 6 septembre 1953. La première radio de transistor de poche de « production » était Regency TR-1, libéré en octobre 1954.
1. Transistor à haute fréquence
Le premier transistor à haute fréquence était le transistor de germanium de surface-barrière développé par Philco en 1953, capable d'actionner jusqu'à 60 mégahertz. Ceux-ci ont été faits en gravant à l'eau-forte des dépressions dans une base de type n de germanium à partir des deux côtés avec des jets d'indium (III) sulfate jusqu'à ce que c'ait été quelques ten-thousandths de pouce profondément. L'indium a plaqué dans les dépressions a formé le collecteur et l'émetteur.
1. Transistors à jonction bipolaires
Les premiers transistors à jonction bipolaires ont été inventés par William Shockley des laboratoires de Bell, qui a sollicité le brevet (2 569 347) le 26 juin 1948. Le 12 avril 1950, les chimistes Gordon Teal de Bell Labs et le Morgan Sparks avaient avec succès produit un transistor de amplification fonctionnant de germanium de jonction bipolaire de NPN.
Personne à contacter: Henry
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